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자료유형
학술저널
저자정보
Sang-Kon Kim (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.1
발행연도
2014.2
수록면
61 - 69 (9page)

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With the extreme ultraviolet (EUV) lithography, the performance limit of chemically amplified resists has recently been extended to 16-and 11-nm nodes. However, the line edge roughness (LER) and the line width roughness (LWR) are not reduced automatically with this performance extension. In this paper, to investigate the impacts of the EUVL mask and the EUVL exposure process on LER, EUVL is modeled using multilayer-thin-film theory for the mask structure and the Monte Carlo (MC) method for the exposure process. Simulation results demonstrate how LERs of the mask transfer to the resist and the exposure process develops the resist LERs.
#Lithography #lithography simulation #LER #EUVL #EUV mask #Monte Carlo

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. LINE EDGE ROUGHNESS OF MASK
Ⅲ. LINE EDGE ROUGHNESS OF RESIST PROCESS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (19)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - G. M. Gallatin / 2008 / Resolution, LER and sensitivity limitations of photoresist / Proc. of SPIE 6921 : 69211E ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - P. P. Naulleau / 2009 / Correlation method for the measure of mask-induced line-edge roughness in extreme ultraviolet lithography / Appl. Opt 48 : 3302 ~ 3307 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - P. P. Naulleau / 2003 / Line-edge roughness transfer function and its application to determining mask effects in EUV resist characterization / Appl. Opt 42 : 3390 ~ 3397 google schola 4. [학술대회논문] - T. Schnattinger / 2008 / A comprehensive resist model for the prediction of line-edge roughness material and process dependencies in optical lithography / Proc. of SPIE 6923 : 69230R ~ google schola 5. [학술대회논문] - J. J. Biafore / 2007 / Mechanistic simulation of line-edge roughness / Proc. of SPIE 6519 : 65190Y ~ google schola

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