집속이온빔의 전류변화에 따른 미세가공 특성분석

강은구; 최병열; 홍원표; 이석우; 최헌종

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강은구 최병열 홍원표 이석우 최헌종

저널정보: 한국생산제조학회 한국생산제조학회지 한국공작기계학회 논문집 Vol.15 No.6

발행연도: 2006.12

수록면: 58 - 63 (6page)

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FIB equipment can perform sputtering and chemical vapor deposition simultaneously. It is very advantageously used to fabricate a micro structure part having 3D shape because the minimum beam size of Φ10nm and smaller is available. Since general FIB uses very short wavelength and extremely high energy, it can directly make a micro structure less than 1μm. As a result, FIB has been probability in manufacturing high performance micro devices and high precision micro structures. Until now, FIB has been commonly used as a very powerful tool in the semiconductor industry. It is mainly used for mask repair, device correction, failure analysis, IC error correction, etc. In this paper FIB-Sputtering and FIB-CVD characteristic analysis were carried out according to Ga? ion beam current that is very important parameter for minimizing the pattern size and maximizing the yield. Also, for FIB-Sputtering burr caused by redeposition of the substrate characteristic analysis was carried out.

#FIB-CVD(집속이온빔 화학적증착) #FIB-Sputtering(집속이온빔 스퍼터링) #Ion Beam Current Characteristic(빔전류 특성) #Burr(버)

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