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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 96 - 99 (4page)
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Atomic layer etching (ALE) is one of the most promising techniques in the semiconductor industry. Since ALE has to be precisely controlled on the angstrom scale to achieve ideal results, an in-situ analysis of the processes is highly required. In this regard, we found during ALE experiments with in-situ monitoring with an ellipsometer that changes in the substrate temperature affected the refractive index of a material, leading to changes in measured film thickness. In addition, more ideal ALE results could be achieved by keeping the substrate temperature constant.
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Kanarik, K. / 2015 / Overview of atomic layer etching in the semiconductor industry / J. of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 33:020802 1~020802 145
Faraz, T. / 2015 / Atomic Layer Etching: What Can We Learn from Atomic Layer Deposition? / J. of Solid State Science and Technology 4:N5023~N5032
Oehrlein, G. / 2015 / Atomic Layer Etching at the Tipping Point: An Overview / J. of Solid State Science and Technology 4:N5041~N5053
Honda, M. / 2017 / Benefits of atomic-level processing by quasi-ALE and ALE technology / J. of Physics D: Applied Physics 50:234002~234011
Agarwal, A. / 2009 / Plasma atomic layer etching using conventional plasma equipment / J. of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 27:37~50
Faraz, T. / 2015 / Atomic Layer Etching: What Can We Learn from Atomic Layer Deposition? / J. of Solid State Science and Technology 4:N5023~N5032
Oehrlein, G. / 2015 / Atomic Layer Etching at the Tipping Point: An Overview / J. of Solid State Science and Technology 4:N5041~N5053
Honda, M. / 2017 / Benefits of atomic-level processing by quasi-ALE and ALE technology / J. of Physics D: Applied Physics 50:234002~234011
Agarwal, A. / 2009 / Plasma atomic layer etching using conventional plasma equipment / J. of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 27:37~50
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