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Yun Jong Jang (Sungkyunkwan University) Hong Seong Gil (Sungkyunkwan University) Gyoung Chan Kim (Sungkyunkwan University) Ju Young Kim (Sungkyunkwan University) Chang Woo Park (Sungkyunkwan University) Do Seong Pyun (Sungkyunkwan University) Ji Yeon Lee (Sungkyunkwan University) Geun Young Yeom (Sungkyunkwan University)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제57권 제3호
발행연도
2024.6
수록면
125 - 139 (15page)

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As the limits of semiconductor integration are approached, the challenges in semiconductor processes have intensified. And, for the production of semiconductors with dimensions under a few nanometers and to resolve the issues related to nanoscale device fabrication, research on atomic layer etching (ALE) technology has been conducted. The investigation related to ALE encompasses not only silicon and dielectric materials but also metallic materials. Particularly, there is an increasing need for ALE in next- generation metal materials that could replace copper in interconnect materials. This brief review will summarize the concept and methods of ALE and describe recent studies on potential next-generation metal replacements for copper, along with their ALE processes.

목차

Abstract
1. 서론
2. Principle of atomic layer etching
3. Next generation interconnect materials
4. Summary
References

참고문헌 (46)

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