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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정호용 (전남대학교) 김대익 (전남대학교)
저널정보
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제11권 제12호
발행연도
2016.12
수록면
1,165 - 1,174 (8page)

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본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법 내의 empirical pseudopotential method(EPM)를 사용하여 3원계 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. InAs1-xNx 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 계산된 휨 매개변수는 4.1eV를 갖으며, 해당되는 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하고 있음을 알 수 있었다. EPM에 의한 계산 결과를 온도와 조성비를 고려한 수정된 band anticrossing(BAC) 모델에 적용하여 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 에너지 띠구조를 계산하였다. 또한 InAs1-xNx의 결합 상수 CMN=1.8 등을 결정할 수 있었으며, 계산결과는 실험치를 대체로 잘 설명할 수 있었다.
#InAs1-xNx #휨 매개변수 #에너지 밴드갭 #EPM #BAC모델 #InAs1-xNx #bowing parameter #energy band gap #empirical pseudopotential method #band anticrossing model

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송종관 / 2012 / 선박용 변압기 없는 40W LED 조명 구동회로의 설계 및 구현 / 한국전자통신학회 논문지 7(3):485~490 dbpia 권재현 / 2014 / 주거용 13.5W COB LED 다운라이트 방열판 형상설계에 따른 열 특성 분석 / 한국전자통신학회 논문지 9(5):561~566 google schola 윤병우 / 2015 / 수공냉 대류방식을 이용한 1.2kW급 LED 조명등 개발 / 한국전자통신학회 논문지 10(5):615~622 dbpia J. Wu / 2003 / Universal bandgap bowing in group-III nitride alloys / Solid State Commun 127(6):411~414 google schola 2013 / First-principle electronic properties of dilute-As GaNAs alloy for visible light emitters / J. Display Technol. 9(4):272~279 google schola

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