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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 269 - 271 (3page)
이용수
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Using optimized sputtering condition of a-Si and $SiO_2$ thin film, we can obtained the large grained poly-Si film on PES substrate. The gate dielectric grown by plasma enhanced atomic layer deposition, laser activation and organic interlayer dielectric material make TFTs on PES possible with mobility of $11cm^2/Vs$ (nMOS) and $7cm_2/Vs$ (pMOS).
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