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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
423 - 430 (8page)

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In this paper, we have simulated a Symmetric Dual-gate Single-Si TFT which has three split floating n+ zones. This structure reduces the kink-effect drastically and improves the on-current. Due to the separated floating n+ zones, the transistor channel region is split into four zones with different lengths defined by a floating n+ region. This structure allows an effective reduction of the kink-effect depending on the length of two sub-channels. The on-current of the proposed dual-gate structure is 0.9 ㎃ while that of the conventional dual-gate structure is 0.5 ㎃ at a 12 V drain voltage and a 7 V gate voltage. This results show a 80 % enhancement in on-current by adding two floating n+ zones. Moreover we observed the reduction of electric field in the channel region compared to conventional single-gate TFT and the reduction of the output conductance in the saturation region. In addition we also confirmed the reduction of hole concentration in the channel region so that the kink-effect reduces effectively.
#Dual-gate TFT #Floating N+ #On-current #Kink effect #Output conductance

목차

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참고문헌 (7)

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/ 1993. / Fabrication and bonding strength of bonded silicon-quartz wafers 32 (1b) : 334 ~ google schola / 1996. / Anodic bonding technique under low-temperature and low- voltage using evaporated glass : 427 ~ google schola / 1997. / Floating body effects in polysilicon thin-film transistors 44 : 2234 ~ google schola / 2003. / Dual gate oxide 공정에서 Gate oxide thinning 방지에 대한 고찰 4 (2) : 223 ~ google schola / 2004. / A study on the improvement of forward blocking characteristics in the static induc- tion transistor 5 (1) : 292 ~ google schola

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