C49 $TiSi_2$상의 에피구조 및 상안정성

전형탁

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자료유형: 학술저널

저자정보: 전형탁 (한양대학교 금속공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제2호

발행연도: 1994.1

수록면: 136 - 142 (7page)

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초청장 Si(111)기탄상에 초고진공 챔버에서 Ti을 증착하여 $TiSi_{2}$를 에피층으로 성장시켰다. 재구성된 (reconstructed) Di(111)표면에 상온에서 50$\AA$ 두께의 Ti을 증착한 후 $100^{\circ}C$간격으로 $800^{\circ}C$까지 열처리 하였다. $TiSi_{2}$박막의 구조는 전자회절 패턴 분석을 통하여 준안정상인 C49상임을 확인하였다. SEM 사진은 세가지 형태의 island를 보이고 있다. 각 island 는 단결정이며 그 구조는 서로 다른 결정학적 방향을 갖는 에피구조이다. 이러한 TiSi$_{2}$ island[112]C49 TiSi$_{2}$/[110]Si, (021) C49 $TiSi_{2}$/(111)Si의 방향관계를 가지고 있다.

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소속기관 한양대학교 신소재공학부

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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