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저자정보
강응열 (한양대학교 금속공학과) 조윤성 (현대전자) 박종완 (한양대학교 금속공학과) 전형탁 (한양대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제1호
발행연도
1994.1
수록면
107 - 112 (6page)

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초청정 실리콘 기판위에 동시증착(codeposition)하여 형성된 Ti silicide의 상전이와 표면 및 계면 형상을 조사하였다. UHV(UItra Highvaccum) 챔버에서 200$\AA$Ti와 400$\AA$ Si을 400-$800^{\circ}C$로 가열한 실리콘 기판위에 동시증착하였다. XRD, SEM, TEM 으로 상전이와 계면 및 표면을 관찰하였다. 비교적 평편한 형상을 갖는 C49상은 $500^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$에서 형성되었으며 응집화 현상은 관찰되지 않았다. $700^{\circ}C$에서 형성된 C54는 표면과 계면의 형상이 거칠어졌다. 기판의 온도가 $800^{\circ}C$로 증가할때 이런 현상은 더욱 뚜렷히 관찰되었다. $400^{\circ}C$와 $500^{\circ}C$에서 TiSi와 관련된 XRD peak가 관찰되었고, TEM사진에서 기판과 박막계면에 작은 결정들이 존재하는 것이 보이고 있다.

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