지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.7
- 수록면
- 835 - 838 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
TiN/TiSi₂ 경합반응과 불순물 재분포 특성에 대한 기판 실리콘에 주입된 BF₂ 불순물 농도의 영향
전기학회논문지
1993 .06
-
PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성
한국재료학회지
1998 .01
-
RTA 방법에 의하여 제작한 TiN / TiSi 2 의 특성 분석 ( The Characteristics of TiN / TiSi2 Bilayer on Si by RTA in N2 Ambient )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
-
2단계 급속열처리에 의한 TiN/TiSi₂ 이중구조막의 특성
전기학회논문지
1992 .12
-
Ti-Si 계면의 얇은 산화막이 TiN/TiSi₂ 이중구조막 형성에 미치는 영향
전기학회논문지
1996 .02
-
The Properties of TiN/TiSi₂ Bilayer Formed by a Two-Step Rapid Thermal Annealing for ULSI Contact
JOURNAL OF KIEE
1994 .03
-
A Study on the Properties of TiN/TiSi₂ Bilayer by a Rapid Thermal Anneal in NH₃ Ambient
전기학회논문지
1992 .08
-
Thermal Stability of TiN / TiSi2 Bilayers Formed by two-step Rapid Thermal Conversion Process for Cu Diffusion Barrier
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
-
불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
전자공학회논문지-A
1991 .12
-
TiN / TiSi２ 이중구조막의 submicron contact에서의 전기적 특성 ( The electrical properties of TiN / TiSi２ bilayer formed by rapid thermal anneal at Submicron contact )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
$N_2$ 분위기에서의 RTN에 의한 TiN/$TiSi_2$ bilayer의 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
-
급속열처리에 의한 TiN / TiSi2 이중구조막을 이용한 submicron contact 에서의 전기적 특성 ( The Electrical Properties of TiN / TiSi2 Bilayer Formed by Rapid Thermal Anneal at Submicron Contact )
전자공학회논문지-A
1994 .09
-
Rapid Thermal Anneal 에 의한 TiN / TiSi2 구조 형성에 관한 연구 ( Ⅰ ) ( Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal ( Ⅰ ) )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
-
RAPID THERMAL ANNEAL에 의한 TiN / TiSi₂구조 형성에 관한 연구(Ⅰ)
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
-
Characteristics of TiN/TiSi₂ Contact Barrier Layer by Rapid Thermal Anneal in N₂ Ambient
전기학회논문지
1992 .06
-
TiSi2의 열적 불안전성에 대한 이론적 고찰 및 개선 방안 ( The theoretical study and improvement on agglomeration of TiSi2 )
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
-
Characterization of TiN/TiSi2 System by Two Step Rapid Thermal Anneal
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1992 .01
-
Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-560-001790807