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박종문 (한국전자통신연구원) 나경일 (한국전자통신연구원) 유성욱 (한국전자통신연구원) 조덕호 (시지트로닉스) 심규환 (시지트로닉스) 이진호 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
359 - 362 (4page)

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In this paper, we investigated the titanium silicide (TiSi) film having ultra low sheet resistance property. To improve the sheet resistance of TiSi film, the TiN capping layer and two steps thermal treatment were introduced. TiN capping layer prevented the impurity, such as oxygen and carbon, in the ambient during the rapid thermal anneal (RTA) process. Moreover, two steps RTA process can be improved the sheet resistance of TiSi film because of changing of the TiSi phase. Lastly, the initial Ti thickness was strongly depends on the sheet resistance of TiSi. This is because the initial Ti thickness affect the TiSi composition and thickness.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
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