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Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
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급속열처리에 의한 TiN/TiTi₂ 이중구조막 형성에 대한 Ti-Si 계면에 얇은 산화막의 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .07
2단계 급속열처리에 의한 TiN/TiSi₂ 이중구조막의 특성
전기학회논문지
1992 .12
A Study on the Properties of TiN/TiSi₂ Bilayer by a Rapid Thermal Anneal in NH₃ Ambient
전기학회논문지
1992 .08
TiN / TiSi2 이중구조막의 submicron contact에서의 전기적 특성 ( The electrical properties of TiN / TiSi2 bilayer formed by rapid thermal anneal at Submicron contact )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
급속열처리에 의한 TiN / TiSi2 이중구조막을 이용한 submicron contact 에서의 전기적 특성 ( The Electrical Properties of TiN / TiSi2 Bilayer Formed by Rapid Thermal Anneal at Submicron Contact )
전자공학회논문지-A
1994 .09
PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성
한국재료학회지
1998 .01
RTA 방법에 의하여 제작한 TiN / TiSi 2 의 특성 분석 ( The Characteristics of TiN / TiSi2 Bilayer on Si by RTA in N2 Ambient )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
기판 실리콘의 BF₂ 불순물 원자에 의한 TiN/TiSi₂ bilayer의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
Rapid Thermal Anneal 에 의한 TiN / TiSi2 구조 형성에 관한 연구 ( Ⅰ ) ( Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal ( Ⅰ ) )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
RAPID THERMAL ANNEAL에 의한 TiN / TiSi₂구조 형성에 관한 연구(Ⅰ)
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
TiN capping layer을 이용한 Titanium silicide 형성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
$N_2$ 분위기에서의 RTN에 의한 TiN/$TiSi_2$ bilayer의 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
Si (001) 기판에서 $N_2$처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-$TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구
한국재료학회지
2001 .01
C49 $TiSi_2$상의 에피구조 및 상안정성
한국재료학회지
1994 .01
Heavily doped Si에서 Ti 증착 온도가 $TiSi_2$ orientation 및 thermal instability 에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
Characteristics of TiN/TiSi₂ Contact Barrier Layer by Rapid Thermal Anneal in N₂ Ambient
전기학회논문지
1992 .06
급속 열처리공정 ( RTA ) 에 의한 a-Si / Ti / a-Si 다층구조의 TiSi2 형성에 관한 연구 ( Titanium Silicide Formation of the a-Si / Ti / a-Si Multilayer by Rapid Thermal Annealing )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
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