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저자정보
조현춘 (한양대학교 재료공학과 산업기술 정보원) 백수현 (한양대학교 한양대학교 재료공학과 산업기술 정보원재료공학과) 최진석 (한양대학교 재료공학과 산업기술 정보원) 황유상 (한양대학교 재료공학과 산업기술 정보원) 김호석 (한양대학교 재료공학과 산업기술 정보원) 김동원 (한양대학교 재료공학과 삼성 반도체 연구소) 심태언 (한양대학교 재료공학과 삼성 반도체 연구소) 정재경 (한양대학교 재료공학과 삼성 반도체 연구소) 이종길 (한양대학교 재료공학과 삼성 반도체 연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제2권 제5호
발행연도
1992.1
수록면
375 - 382 (8page)

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Composite target(MoS$i_{2.3}$)으로 부터 Mo-silicide를 형성시, 단결정 실리콘 위에 P, B$F_2$불순물(5${\times}10^{15}ions/cm^2$)과 다결정 실리콘 위에 P 불순물(5${\times}10^{15}ions/cm^2$)을 이온 주입하여 아르곤 분위기에서 급속열처리(RTA)하였다. 열처리는 600-120$0^{\circ}C$ 온도구간에서 20초간 행하였다. Mo-silicide의 특성 및 불순물의 거동은 4-point probe, X선 회절분석, SEM, SIMS, $\alpha$-step을 통해 조사하였다. 80$0^{\circ}C$에서 부터 MoS$i_2가 형성되며 열처리 온도가 증가할수록 낮은 비저항간을 갖는 안정한 MoS$i_2로 결정화가 이루어진다. 또한 열처리 동안 단결정 실리콘과 다결정 실리콘에서 Mo-silicide층으로 불순물의 내부 확산은 거의 발생하지 않았다.

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