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학술저널
저자정보
Min Yu Yin (Gachon University) Sang Jik Kwon (Gachon University) Eou-Sik Cho (Gachon University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.2
발행연도
2018.4
수록면
153 - 159 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.2.153

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For the realization of well-patterned twodimensional transition metal dichalcogenide (TMDC) films, molybdenum disulfide (MoS2) films were formed on sapphire substrate by radio-frequency (RF) sputtering with a shadow mask followed by rapid thermal annealing (RTA). The films were deposited using various sputtering power and annealed at different temperatures of 600 to 800℃. Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicate more noticeable peaks when higher RF power and annealing temperature are used. However, analyses with a scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM) show that the MoS2 films sputtered at lower RF sputtering power have a better surface as a result of the different coefficients of thermal expansion (CTEs). The high mobility and carrier density were also investigated for all the MoS2 films.
#Molybdenum disulfide (MoS₂) #RF sputtering #rapid thermal annealing (RTA) #sapphire substrate

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
H.-J. Kwon, S. Kim, J. Jang, and C. P. Grigoropoulos, “Evaluation of pulsed laser annealing for flexible multilayer MoS2 transistors,” Appl. Phys. Lett., vol. 106, no. 11, p. 113111, Mar. 2015. J.-H. Huang, H.-H. Chen, P. S. Liu, L.-S. Lu, C.-T. Wu, C.-T. Chou, Y.-J. Lee, L. Li, W.-H. Chang, and T.-H. Hou, “Large-area few-layer MoS2 deposited by sputtering,” Mater. Res. Exp., vol. 3, no. 6, p. 065007, Jun. 2016. S. Das, R. Gulotty, A. V. Sumant, and A. Roelofs, “All two-dimensional, flexible, transparent, and thinnest thin film transistor,” Nano Lett., vol. 14, no. 5, pp. 2861-2866, Apr. 2014. L. Hao, Y. Liu, W. Gao, Z. Han, Q. Xue, H. Zeng, Z. Wu, J. Zhu, and W. Zhang, “Electrical and photovoltaic characteristics of MoS2/Si p-n junctions,” J. Appl. Phys., vol. 117, no. 11, p. 114502, Mar. 2015. C. Ataca, H. Sahin, and S. Ciraci “Stable, Single- Layer MX2 Transition-Metal Oxides and Dichalcogenides in a Honeycomb-Like Structure,” J. Phys. Chem. C, vol. 116, no. 16, pp. 8983-8999, Mar. 2012.

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