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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김윤해 (서울대학교 공과대학 재료공학부) 이석규 (서울대학교 공과대학 재료공학부) 김선우 (현대전자산업주식회사 메모리연구소) 김형준 (서울대학교 공과대학 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제4호
발행연도
1998.1
수록면
317 - 322 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1999

Si - O - C - H 저유전율 박막의 특성 연구 Study of Low - k Si - O - C - H Thin Films
김윤해 ,  이석규 ,  김형준 한국진공학회 학술발표회초록집 1999.07 학술대회자료

1998

$N_2O$ 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화
김윤해 ,  이석규 ,  김선우 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널
N2O 플라즈마 열처리를 이용한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화
김윤해 ,  이석규 ,  엄명윤 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1998.01 학술대회자료

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플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 $N_2O$플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. $N_2O$플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다.

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