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자료유형
학술저널
저자정보
김노유 (한국기술교육대학교 메카트로닉스 공학부) 서학석 (한국기술교육대학교 대학원)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체장비학회지 한국반도체장비학회지 제2권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
9 - 15 (7page)

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This paper proposes a thickness measurement method of silicon-oxide and poly-silicon film deposited on 12" silicon wafer for spin etcher. Halogen lamp is used as a light source for generating a wide-band spectrum, which is guided and focused on the wafer surface through a optical fiber cable. Interference signal from the film is detected by optical sensor to determine the thickness of the film using spectrum analysis and several signal processing techniques including curve-fitting and adaptive filtering. Test wafers with three kinds of priori-known films, polysilicon(300 nm), silicon-oxide(500 nm) and silicon-oxide(600 nm), are measured while the wafer is spinning at 20 Hz and DI water flowing on the wafer surface. From experiment results the algorithm presented in the paper is proved to be effective with accuracy of maximum 0.8% error.rror.
#Interferometry #Thin film #White light #Thickness measurement

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