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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박수진 (수원대학교 전자재료공학과) 이근우 (수원대학교 전자재료공학과) 김주연 (한양대학교 재료공학부) 전형탁 (한양대학교 재료공학부) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제7호
발행연도
2003.1
수록면
460 - 464 (5page)

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Ni and Ti films were deposited by the thermal evaporator, and then annealed in the N$_2$ ambient at 300-80$0^{\circ}C$ in a RTA(rapid thermal annealing) system. Four point probe, AEM, FESEM, AES, and XPS were used to study the effects of Ti-capping layers on the thermal stability of NiSi thin films. The Ti-capped NiSi was stable up to $700^{\circ}C$ for 100 sec. RTA, while the uncapped NiSi layers showed high sheet resistance after $600^{\circ}C$. These results were due to that the Ni in-diffusion and Si out-diffusion were retarded by the capping layer, resulting in the suppression of the formation of NiSi$_2$and Si grains at the surface.
#Ti-capped NiSi #thermal stability #interface roughness #Ni diffusion

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