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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
유정주 (수원대학교 전자재료공학과) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제10호
발행연도
2006.1
수록면
614 - 618 (5page)

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The thermal stability of Cu/Ti(or Ta)/NiSi contacts was investigated. Ti(Ta)-capping layers deposited to form NiSi was utilized as the Cu diffusion barrier. Ti(Ta)/NiSi contacts was thermally stable upto $600^{\circ}C$. However when Cu/Ti(Ta)/NiSi contacts were furnace-annealed at $300{\sim}400^{\circ}C$ for 40 min., the Cu diffusion was found to be effectively suppressed, but NiSi was dissociated and then Ni diffused into the Cu layer to form Cu-Ni solutions. On the other hand, the Ni diffusion did not occur for the Al/Ti/NiSi system. The thermal instability of Cu/Ti(Ta)/NiSi contacts was attributed to the high heat of solution of Ni in Cu.
#Cu/Ti #Ta)/NiSi Contact #Thermal Stability #Diffusion Barrier #Cu and Ni Diffusion

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