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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김대희 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김대현 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제7권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
41 - 44 (4page)

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NiSi is less stable than the previously-used $CoSi_2$ at high temperature. Some noble metals, such as Pd and Pt, have been added to NiSi to improve its thermal stability. We employed a first principles calculation to understand the Pd segregation at the interface. An orthorhombic structure of NiSi was used to construct an orthorhombic-NiSi/Si (010). Lattice parameters along a- and c-axes in orthorhombic-NiSi were matched with those of Si for epitaxy contact. The optimized $1\times4\times1$ orthorhombic-NiSi (010) and $1\times2\times1$ Si (010) superstructures were put together to construct the orthorhombic-NiSi/Si (010), and the superstructure was relieved in calculation to minimize its total free energy. The optimized interface thickness of the superstructure was $1.59\AA$. Pd atom was substituted in Ni and Si sites located near interface. Both Ni and Si sites located at the interface were favorable for Pd substitution.

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