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학술저널
저자정보
석선호 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) 이병렬 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) 전국진 (서울대학교 전기컴퓨터공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체장비학회지 한국반도체장비학회지 제1권 제1호
발행연도
2002.1
수록면
15 - 19 (5page)

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A new vacuum packaging process in wafer level is developed for the surface micromachining devices using glass silicon anodic bonding technology. The inside pressure of the packaged device was measured indirectly by the quality factor of the mechanical resonator. The measured Q factor was about 5$\times10^4$ and the estimated inner pressure was about 1 mTorr. And it is also possible to change the inside pressure of the packaged devices from 2 Torr to 1 mTorr by varying the amount of the Ti gettering material. The long-term stability test is still on the way, but in initial characterization, the yield is about 80% and the vacuum degradation with time was not observed.

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