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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제15권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
58 - 64 (7page)

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In this study, we describe a low-temperature wafer-level thermocompression bonding using electroplated gold seal line and bonding pads by electroplating method for RF-MEMS devices. Silicon wafers, electroplated with gold (Au), were completely bonded at 320oC for 30min at a pressure of 2.5MPa. The through-hole interconnection between the packaged devices and external terminal did not need metal filling process and was made by gold films deposited on the sidewall of the through-hole. This process was low-cost and short in duration. Helium leak rate, which is measured to evaluate the reliability of bonded wafers, was 2.740.61410-10 Pam3/s. The insertion loss of the CPW packaged was 0.069~0.085dB. The difference of the insertion loss between the unpackaged and packaged CPW was less than -0.03. These values show very good RF characteristics of the packaging. Therefore, gold thermocompression bonding can be applied to high quality hermetic wafer level packaging of RF-MEMS devices.
#wafer-level packaging #thermocompression bonding #hermetic packaging

목차

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참고문헌 (14)

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