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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권
발행연도
2003.1
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In this paper, we report a novel RF-MEMS packaging technology with lightweight, small size, and short electric path length. To achieve this goal, we used the ultra thin silicon substrate as a packaging substrate. The via holes for vertical feed-through were fabricated on the thin silicon wafer by wet chemical processing. Then, via holes were filled and micro-bumps were fabricated by electroplating. The packaged RF device has a reflection loss under 22 [dB] and a insertion loss of -0.04∼-0.08 [dB]. These measurements show that we could package the RF device without loss and interference by using the vertical feed-through. Specially, with the ultra thin silicon wafer we can realize of a device package that has low-cost, lightweight and small size. Also, we can extend a 3-D packaging structure by stacking assembled thin packages.
#Thin wafer #RF-MEMS #Vertical feed-through #Package

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