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자료유형
학술저널
저자정보
라현욱 (전북대학교 화학공학부, 나노소재공정연구센터) 박형조 (나리지온) 김기주 (전북대학교 화학공학부, 나노소재공정연구센터) 김완영 (전북대학교 화학공학부, 나노소재공정연구센터) 한윤봉 (전북대학교 화학공학부, 나노소재공정연구센터)
저널정보
한국화학공학회 화학공학 화학공학 제43권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
76 - 79 (4page)

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Magnetic random access memory(MRAM) 소자재료로 사용되고 있는 NiFe, NiFeCo, Ta 등의 박막을 $Cl_2/Ar$ 유도 결합 플라즈마를 이용하여 식각하였다. NiFe와 NiFeCo의 식각 속도는 특정 ICP 공급 전력에서 최대값을 나타냈지만, Ta의 식각 속도는 ICP 공급 전력이 증가함에 따라 증가하였다. RF 하부전극 전력이 증가하면서 자성박막의 식각 속도는 증가하였지만, 공정압력과 $Cl_2$의 농도가 증가함에 따라 점진적으로 감소하였다. 식각 후에 염소에 의한 표면 부식을 방지하기 위해 이온수로 5분간 세척하였다. 식각 프로파일은 $Cl_2$ 농도가 50%일 경우에 식각 단면에 식각 잔유물들이 존재하지 않는 부드러운 단면을 얻을 수 있었다.
#MRAM #ICP Etching #Magnetic Materials

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