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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제12호
발행연도
2002.1
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In this study, Au thin films were etched with a Cl2/Ar gas combination in an inductively coupled plasma. The highest etch rate of the Au thin film was 3500 Å/min at a Cl2/(Cl2+Ar) gas mixing ratio of 0.2. The surface reaction of the etched Au thin films was investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. There is Au-Cl bonding by chemical reaction between Cl and Au. During the etching of Au thin films in Cl2/Ar plasma, Au-Cl bond is formed, and these products can be removed by the physical bombardment of Ar ions.[1]
#Au #Etching #Cl2/Ar #ICP #XPS

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