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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 718 - 722 (5page)
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본 연구에서는 He/Cl₂/BCl₃ 플라즈마 안에서 식각된 TiN 박막의 식각 특성을 연구하였다. 식각속도는 가스비, RF 전력, 직류 바이어스 전압, 그리고 공정압력 안에서 측정되었다. 이때 He/Cl₂/BCl₃ 플라즈마 안에서 TiN 박막의 최고 식각속도는 59 nm/min로 확인할 수 있었다. 또한, RF 전력과 직류 바이어스 전압이 증가 할 때마다 식각속도도 역시 증가되는 것을 알 수 있었다. 식각된 TiN 박막의 표면 위의 화학적 반응은 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 연구하였다. Ti 2p와 N 1s의 Intensity는 식각 공정을 하는 동안 다양하게 확인할 수 있었다. He/Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TiN 박막 표면에서 새로운 Peak이 나타나는 것을 확인하였다. 결과적으로 보면, XPS 분석을 통한 Cl 2p에 의해 새로운 Peak은 Ti-ClX 의 결합으로 확인되어지는 것을 알 수 있었다.
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