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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Zhang, Mi (Beijing BOE Optoelectronics Technology CO., LTD) Xue, Jian She (Beijing BOE Optoelectronics Technology CO., LTD) Park, Chun-Bae (Beijing BOE Optoelectronics Technology CO., LTD) Koh, Jai-Wan (Beijing BOE Optoelectronics Technology CO., LTD) Zhang, Zhi-Min (Institute of Computing Technology of the Chinese Academy of Sciences)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
101 - 104 (4page)

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Too high stress of the bottom Mo layer of the gate line is thought to be the main reason for H-line mura. H-Line mura is eliminated effectively by changing the gate line metal structure from Mo/AlNd/Mo to AlNd/Mo. The new structure does not influence the panel's electrical characteristics.
#mura #gate layer #multi-layer structure #thin-film stress #distortion

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