Crystallization of a-Si Induced by Ni-Si oxide source

Meng, Z.; Liu, Z.; Zhao, S.; Wu, C.; Wong, M.; Kwok, H.; Xiong, S.

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저자정보: Meng, Z. (Institute of Photo-electronics, Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) Liu, Z. (Institute of Photo-electronics, Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) Zhao, S. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology) Wu, C. (Institute of Photo-electronics, Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) Wong, M. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology) Kwok, H. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology) Xiong, S. (Institute of Photo-electronics, Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2008.1

수록면: 985 - 988 (4page)

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Metal induced crystallization of a-Si with a source of Ni/Si oxide was studied. Its mechanism to induce crystallization was discussed. It was found that new source behaves an effect of self-released nickel and reducing nickel residua, so can provide a wider process tolerance; improve the uniformity and stability of TFTs.

#Metal induced lateral Crystallization #Ni/Si oxide source #Self-released effect #poly-silicon #thin film transistors

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