Enhanced Crystallization of Amorphous Si Using viscous Ni Solution and Microwave Annealing

Ahn, Jin-Hyung; Eom, Ji-Hye; Ahn, Byung-Tae

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ahn, Jin-Hyung (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Eom, Ji-Hye (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Ahn, Byung-Tae (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제2권 제2호

발행연도: 2001.1

수록면: 7 - 12 (6page)

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A viscous Ni solution was coated over amorphous Si thin film for evenly spread of Ni metal source. The Ni s. prepared by dissolving $NiCl_2$ into IN HCI and mixing with propylene glycol. $NiCl_2$ and Ni were deposited on the amorphous film after oven dry and they enabled to obtain a uniform crystallization. The crystallization using the viscous Ni solution was a Ni-silicide mediated process, the same process used with Ni metal layer. The crystallization temperature was lowered to $480^{\circ}C$ by the synergy effect of silicide-mediated crystallization and microwave-induced crystallization. Lateral crystallization was also enhanced such that the velocity of lateral crystallization by microwave annealing became faster than by furnace annealing.

#Crystallization #polycrystalline silicon #metal solution microwave annealing

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이 논문의 저자 정보

Ahn, Jin-Hyung

소속기관 Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 5 이용수 0

Eom, Ji-Hye

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Ahn, Byung-Tae

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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