Microwave-Enhanced Low-Temperature Crystallization of Amorphous Silicon Films for TFTs

Ahn, Jin-Hyung; Eom, Ji-Hye; Ahn, Byung-Tae

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Ahn, Jin-Hyung (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Eom, Ji-Hye (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Ahn, Byung-Tae (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2002.1

수록면: 177 - 180 (4page)

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Microwave has been utilized for low-temperature crystallization of amorphous Si films. Microwave annealing lowered the crystallization temperature and shortened the annealing time. The combination of Ni and microwave applications on a-Si films further enhanced the crystallization. The enhancement was due to both reduced nucleation activation energy and growth activation energy.

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이 논문의 저자 정보

Ahn, Jin-Hyung

소속기관 Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 5 이용수 0

Eom, Ji-Hye

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 3 이용수 0

Ahn, Byung-Tae

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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