Crystallization of Amorphous Silicon Films by Field-Aided Lateral Crystallization (FALC) technique at $350^{circ}C$

Park, Kyoung-Wan; Cho, Ki-Taek; Choi, Duck-Kyun

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Park, Kyoung-Wan (Department of Ceramic Engineering, Hanyang University) Cho, Ki-Taek (Department of Ceramic Engineering, Hanyang University) Choi, Duck-Kyun (Department of Ceramic Engineering, Hanyang University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2002.1

수록면: 548 - 551 (4page)

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The crystallization of amorphous silicon (a-Si) was achieved using a field aided lateral crystallization (FALC) process at 350 $^{\circ}C$. Under the influence of an electric field, Cu is found to drastically enhance the lateral crystallization velocity of a-Si. When an electric field was applied to the selectively Cu-deposited a-Si film during the heat treatment at temperature as low as 350 $^{\circ}C$, dendrite-shaped crystallization of a-Si progressed toward Cu-free region and the crystallization from negative electrode side toward positive electrode side was accelerated. We identified that 1000${\AA}$ thick a-Si film was completely crystallized by Cu-FALC process at 350 $^{\circ}C$ by TEM analysis.

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이 논문의 저자 정보

Park, Kyoung-Wan

소속기관 Department of Ceramic Engineering, Hanyang University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Cho, Ki-Taek

소속기관 Department of Ceramic Engineering, Hanyang University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Choi, Duck-Kyun

소속기관 Dept. of Ceramic Engineering, Hanyang University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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