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자료유형
학술대회자료
저자정보
Chung, Hyun-Joong (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Yang, Hui-Won (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Kim, Min-Kyu (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Jeong, Jong-Han (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Ahn, Tae-Kyung (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Kim, Kwang-Suk (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Kim, Eun-Hyun (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Kim, Sung-Ho (AM Development Team, Samsung SDI Co., LTD.) Im, Jang-Soon (AM Development Team, Samsung SDI Co., LTD.) Choi, Jong-Hyun (AM Development Team, Samsung SDI Co., LTD.) Park, Jin-Seong (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Jeong, Jae-Kyeong (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Mo, Yeon-Gon (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.) Kim, Hye-Dong (Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., LTD.)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
1,097 - 1,100 (4page)

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We demonstrate that the performance of amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFT) can be optimized by controlling the interfaces between IGZO and sandwiching insulators and by proper deposition of IGZO layer. Specifically, contact and channel resistances are decreased by reducing IGZO bulk resistance and optimizing dry-etch process, respectively. Field-effect mobility ($\mu_{FE}$) and subthreshold gate swing (S) are further enhanced by fine-tuning IGZO deposition condition.
#Oxide TFT #InGaZnO #contact resistance #OLED

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