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저자정보
박정현 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 정준교 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 김유정 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 정병준 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 이가원 (충남대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제1호
발행연도
2017.1
수록면
97 - 101 (5page)

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In this paper, IGZO thin film transistor (TFT) was fabricated with cross-linked Poly (4-vinylphenol) (PVP) gate dielectric for flexible, transparent display applications. The PVP is one of the candidates for low-temperature gate insulators. MIM structure was fabricated to measure the leakage current and evaluate the insulator properties according to the annealing temperature. Low leakage current ( <0.1nA/cm2 @ 1MV/cm ) was observed at $200^{\circ}C$ annealing condition and decreases much more as the annealing temperature increases. The electrical characteristics of IGZO TFT such as subthreshold swing, mobility and ON/OFF current ratio were also improved, which shows that the performance of IGZO TFTs with PVP can be enhanced by reducing the amount of incomplete crosslinking in PVP.
#PVP #oxide semiconductor #IGZO #low temperature

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Lee, J. H. / 2008 / 42.2: World's Largest (15‐inch) XGA AMLCD Panel Using IGZO Oxide TFT / SID Symposium Digest of Technical Papers 39:625~628 google schola Jeong, Y. / 2016 / Optimization of a Solution-Processed SiO2 Gate Insulator by Plasma Treatment for Zinc Oxide Thin Film Transistors / ACS applied materials & interfaces 8(3):2061~2070 google schola Hwang, B. U. / 2014 / Role of ultrathin Al 2 O 3 layer in organic/inorganic hybrid gate dielectrics for flexibility improvement of InGaZnO thin film transistors / Organic Electronics 15(7):1458~1464 google schola Majewski, L. A. / 2003 / A novel gate insulator for flexible electronics / Organic Electronics 4(1):27~32 google schola Lee, J. H. / 2003 / Pentacene thin film transistors fabricated on plastic substrates / Synthetic Metals 139(2):445~451 google schola

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