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학술대회자료
저자정보
Fung, Tze-Ching (Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan) Chuang, Chiao-Shun (Dept. of Photonics & Display Institute, National Chiao Tung University) Mullins, Barry G. (Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan) Nomura, Kenji (ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center / Material and Structure Lab., Tokyo Institute of Technology) Kamiya, Toshio (ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center / Material and Structure Lab., Tokyo Institute of Technology) Shieh, Han-Ping David (Dept. of Photonics & Display Institute, National Chiao Tung University) Hosono, Hideo (ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center / Material and Structure Lab., Tokyo Institute of Technology) Kanicki, Jerzy (Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
1,208 - 1,211 (4page)

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We study the amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (TFTs) properties under monochromatic illumination ($\lambda=420nm$) with different intensity. TFT off-state drain current ($I_{DS_off}$) was found to increase with the light intensity while field effect mobility ($\mu_{eff}$) is almost unchanged; only small change was observed for sub-threshold swing (S). Due to photo-generated charge trapping, a negative threshold voltage ($V_{th}$) shift is also observed. The photofield-effect analysis suggests a highly efficient UV photocurrent conversion in a-IGZO TFT. Finally, a-IGZO mid-gap density-of-states (DOS) was extracted and is more than an order lower than reported value for a-Si:H, which can explain a good switching properties of the a-IGZO TFTs.
#Metal oxide semiconductor #InGaZnO #TFT #Photofield effect

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