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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
금민종 (경원대학교 전기정보공학과) 추순남 (경원전문대학 전기제어시스템) 최명규 (경원전문대학 전기제어시스템) 이원식 (경원전문대학 전기제어시스템) 김경환 (경원대학교 전기정보공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
89 - 92 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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The AIN/AI thin films were prepared at various conditions, such as $N_2$ gas flow rate [$N_2(N_2+Ar)$] from 0.6 to 0.9, a substrate temperature ranging from room temperature to $300^{\circ}C$ and working pressure 1mTorr. We estimated crystallographic characteristics and c-axis preferred orientations of AIN/AI thin films as function of AI electrode surface roughness. The optimal processing conditions for AI electrode were found at substrate temperature of $300^{\circ}C$ sputtering power of 100W and a working pressure of 2mTorr. In these conditions, we obtained the c-axis preferred orientation of $AIN/AI/SiO_2/Si$ thin film about 4 degree.

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