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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이병택 (공주대학교 재료공학과) 김해두 (한국기계연구원 요업재료그룹) 허석환 (창원대학교 재료공학과) 이찬규 (창원대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제1호
발행연도
1998.1
수록면
27 - 32 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1999

In-Situ 반응소결에 의한 전도성 $Si_3N_4$-TiN 복합세라믹스 제조
이병택 ,  윤여주 ,  박동수 외 1명 한국재료학회지 1999.01 학술저널

1998

$\textrm{Si}_{3}\textrm{N}_{4}$-AIN 복합세라믹스의 In-Situ합성
이병택 ,  김해두 ,  허석환 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1996

In-Situ 반응소결에 의한 제조된 $Si_3N_4-TiN$ 복합세라믹스의 미세조직과 파괴거동
이병택 ,  김해두 ,  임동성 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

초록· 키워드

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In-Sit반응소결에의해 Si과 AI금속분말을 이용하여 Si$_{3}$N$_{4}$-AIN 복합세라믹스를 합성하였다. 합성된 Si$_{3}$N$_{4}$-AIN복합세라믹스의 미세조직과 결정구조를 해석하기 위해, OM, TEM, XRD및 EDX를 이용하였으며, Si$_{3}$N$_{4}$-AIN -20wt.%AIN복합세라믹스에서 Si의 질화율은 97%로 가장 높았다. Si$_{3}$N$_{4}$-AIN 복합세라믹스에서 Si의 질화율은 AI첨가량 증가에 따라 감소하였다. 대부분의 AI입자들은 다결정 AI입자들은 다결정 AIN(4-H구조)로 완전질화되었으며, 따라서 잔류 AI상은 반응소결체내에서 관찰되지 않았다. Si$_{3}$N$_{4}$의 결정구조는 $\alpha$와 $\beta$구조가 혼재된 상태이며, 잔류 Si입자내에서는 미소균열 및 전위가 관찰되었다. AI/Si$_{3}$N$_{4}$와 Si$_{3}$N$_{4}$ 두계면에서 이들은 거친 형상을 보이지만, 계면반응상은 관찰되지 않았다.

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