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서영훈 (한국에너지기술연구원) 이아름 (한국에너지기술연구원) 신민정 (한국에너지기술연구원) 조아라 (한국에너지기술연구원) 안승규 (한국에너지기술연구원) 박주형 (한국에너지기술연구원) 유진수 (한국에너지기술연구원) 최보훈 (동아대학교) 조준식 (한국에너지기술연구원)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.7 No.4
발행연도
2019.12
수록면
97 - 102 (6page)

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Bifacial and semitransparent hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film solar cells in p-i-n configuration were prepared with front and rear transparent conducting oxide (TCO) electrodes using plasma-enhanced chemical vapor deposition method. Fluorine-doped tin oxide and tin-doped indium oxide films were used as front and rear TCO contacts, respectively. Film thickness of intrinsic a-Si:H absorber layers were controlled from 150 nm to 450 nm by changing deposition time. The dependence of performance characteristics of solar cells on the front and rear illumination direction were investigated. For front illumination, gradual increase in the short-circuit current density (JSC) from 10.59 mA/cm² to 14.19 mA/cm² was obtained, whereas slight decreases from 0.83 V to 0.81 V for the open-circuit voltage (VOC) and from 68.43% to 65.75% for fill factor (FF) were observed. The average optical transmittance in the wavelength region of 380 ~ 780 nm of the solar cells decreased gradually from 22.76% to 15.67% as the absorber thickness was changed from 150 nm to 450 nm. In case of the solar cells under rear illumination condition, the JSC increased from 10.81 to 12.64 mA/cm² and the FF deceased from 66.63% to 61.85%, while the VOC values were maintained at 0.80 V with increasing the absorber thickness from 150 nm to 450 nm. By optimizing the deposition parameters, a high-quality bifacial and semitransparent a-Si:H solar cell with 350 nm-thick i-a-Si:H absorber layer exhibited the conversion efficiencies of 7.69% for front illumination and 6.40% for rear illumination, and average visible optical transmittance of 17.20%.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 태양전지 구조 및 실험방법
3. 실험 결과
4. 결론
References

참고문헌 (11)

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