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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
조민영 (인제대학교) 김민수 (인제대학교) 임재영 (인제대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제5호
발행연도
2010.9
수록면
371 - 376 (6page)

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분자선 에피택시 장비를 이용하여 두 단계 방법(two-step method)으로 Si (100) 기판 위에 GaAs 에피층을 성장하였다. Si기판은 초고진공을 유지하고 있는 MBE 성장 챔버 속에서 세척 방법을 달리하여 Si 기판표면에 존재하는 불순물(산소, 탄소등)을 제거하였다. 첫 번째는 Si 기판을 몰리브덴 히터를 사용하여 800℃로 직접 가열하였다. 두 번째는 Si 기판 표면에 As 빔을 조사시켜 주면서 800℃로 Si 기판을 가열하였다. 세 번째는 Si 기판 표면에 Ga을 증착한 후 Si 기판을 800℃로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs에피층의 RHEED 패턴은 (2×4) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층이 가장 좋은 결정성을 가지고 있었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (15)

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