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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(2)호
발행연도
1999.12
수록면
519 - 523 (5page)

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초고진공 이온빔 스퍼터 장치를 이용하여 80~300℃의 기판온도 (T_s) 범위에서 실리콘 기판의 정상(001)면과 [100] 및 [110] 방향으로 기울어진 vicinal (001)면위에 성장된 실리콘 박막의 에피텍시 두께 t_e(T_s)를 측정하였다. vicinal 기판위에 성장된 실리콘 박막의 에피텍시 두께 t_e(T_s)가 정상 (001)면에 성장시킨 경우에 비교하여 감소하였다. 300℃의 기판온도에서 박막의 성장두께에 따른 표면조도의 변화를 atomic force microscopy을 이용하여 측정결과로 부터 vicinal 기판위의 증가된 step 밀도가 표면 조도를 증가시키어 불안정 성장 경향을 증대시키고 이것이 에피텍시 두께를 감소시키는 원인으로 작용하였음을 알 수 있었다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussion

4. Conclusion

Acknowledgement

References

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