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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
186 - 189 (4page)

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Si(111)-7×7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판온도를 400℃로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때 √3×√3 구조가 관찰되었으며 기판온도 200℃ 이하에서는 증착량에 따라 √3×√3×, 2√3×2√3 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn √3×√3 구조에서의 Sn원자의 이탈 과정을 조사한 결과 이탈에너지는 3.3±0.1 eV로 조사되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결론

감사의 글

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