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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
172 - 176 (5page)

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Si(111) 7×7표면에 In을 증착시킬 때 기판용도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도 변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판온도를 400℃로 유지하면서 In을 증착시킬 때 증착량이 약 0.1, 0.3, 0.5 ML에서 각각 √3×√3, √31×√31, 4×1구조가 관찰되기 시작하였다. 기판온도 300°에서는 증착량이 약 0.2ML에서부터 4×1구조가 나타나고 0.8ML이상에서부터는 4×1+√3×√3 혼합구조가 관찰되기 시작하였다. Si(111)-√3×√3구조의 기판온도를 실온으로 유지하면서 In를 증착시킬 때 증착량이 0.25, 0.7ML에서 각각 2×2, √7×√3구조가 나타나기 시작하였다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-√7×√3구조에서의 In원자의 이탈 과정을 조사한 결과 이탈 에너지는 2.84 eV로 조사되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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