TCP-CVD법을 활용한 공정변수에 따른 산화막의 제작

김창조; 최윤; 신백균; 박구범; 신현용; 이붕주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김창조 (인하대학교) 최윤 (아텍시스템) 신백균 (인하대학교) 박구범 (유한대학) 신현용 (남서울대학교) 이붕주 (남서울대학교)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제2호

발행연도: 2010.3

수록면: 148 - 154 (7page)

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본 논문에서는 유기발광다이오드의 보호막 적용을 위하여 TCP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 Power, 가스종류 및 유량, 소스와 기판거리 및 공정온도 등의 공정조건에 따른 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착률, 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 SiH₄ : O₂ = 30 : 60 [sc㎝], 70 [㎜]의 source와 기판 거리, Bias를 인가하지 않은 조건에서 80 [℃] 이하의 공정온도를 보였으며 투과율 90% 이상, 높은 증착률 및 굴절률 1.4∼1.5인 안정된 SiO₂ 산화박막을 제조할 수 있었다.

#TCP-CVD #SiO₂ #증착률 #굴절률 #Depositon rate #Reflective index

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Kim / 2003 / Electromigration Characteristics in PSG / SiO₂ Passivated Al-1% Si Thin Film Interconnections / Journal of Korean Vacuum Science & Technology 7 (2) : 39 ~ 44

2. [학술지(정기간행물)] - W. Kem / 1977 / / J. Vac. Sci. Technol. 14 : 1082 ~

3. [학술지(정기간행물)] - W. Kem / 1979 / / IEEE Trans, Electron Devices ED-26 : 647 ~

4. [학술지(정기간행물)] - C. H. Lee / 2004 / / J. Vac. Sci. Technol. A 22 : 991 ~

5. [학술지(정기간행물)] - D. Han / 2003 / / J. Appl. Phys. 94 : 2930 ~

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