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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김창조 (인하대학교) 신백균 (인하대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제3호
발행연도
2010.5
수록면
230 - 235 (6page)

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본 논문에서는 TCP-CVD를 이용하여 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 전력, 가스 유량, 기판 바이어스 등의 공정조건에 따른 증착률과 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 기판온도 300 [℃], SiH₄ : O₂=50 : 100 [sccm], TCP power 1 [㎾], 기판 바이어스 200 [W]를 인가한 조건에서 매우 우수한 균일도(<1 [%]) 및 증착률(0.28 [㎛/min])과 굴절률 (1.4610-1.4621)을 나타내는 안정된 SiO₂ 산화박막을 제조할 수 있었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (5)

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