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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제4호
발행연도
2007.7
수록면
250 - 261 (12page)

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BCl₃-Cl₂ 플라즈마에서 GaAs(100)의 이온 강화 식각 시 source power에 따른 표면 형태 변화를 연구하였다. Floating 전위에서는 이온 포격(bombardment)이 거의 없고, 화학적 반응에 의존한 순수한 습식 식각에 의해 나타나는 것과 같이 〈110〉 능선과 {111} 표면으로 이루어졌다. 900 W 정도의 높은 source power에서는 결정학적 표면이 잘 형성되지만, 100 W 정도의 낮은 source power에서는 결정학적 표면이 형성되지 않는다. 이것은 건식 식각에 필수적인 Cl 원자와 같은 여기된 반응성 물질의 양이 source power에 크게 좌우되기 때문이다. 높은 source power에서는 반응성 물질의 농도가 높아지고, GaAs(100) 표면은 열역학적으로 가장 안정한 표면이 된다. 반면에 반응성 물질이 부족할 경우에는 표면 형태는 sputtering에 의해 결정된다. Scaling theory에 기초한 표면의 통계적 분석 적용 시, 두 개의 spatial exponent가 발견 되었다. 하나는 1 보다 작고 원자수준의 표면형태 형성 기구에 의해 결정되고, 다른 하나는 1보다 크며 facet 형성 기구와 같이 큰 규모의 형태 형성 기구에 의한 결과로 생각된다. 시료들에 bias가 인가 되면, 표면에 포격이 일어난다. 그 결과 높은 source power에서 능선 형성이 억제되고, 낮은 source power에서는 섬들의 형성이 억제된다.
#식각 #표면 #GaAs #scaling theory #Etching #surface

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - H.P. Gillis / 2001 / Etching and Deposition : 2613 ~ 2630 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - A.-L. Barabasi / 1995 / Fractal concepts in Surface Growth google schola 3. [학술지(정기간행물)] - A / 1994 / Principles of Plasma Discharges and Materials Processing google schola 4. [학술지(정기간행물)] - F.F. Chen / 2003 / Lecture Notes on Principles of Plasma Processing google schola 5. [학술지(정기간행물)] - D.C. Hays / 1999 / Selective Etching of Compound Semiconductors : 100 ~ google schola

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