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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제10회 학술발표회논문개요집
발행연도
1996.2
수록면
23 - 25 (3page)

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GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되는 HCI, H₃PO₄ 탈이온수(DIW)를 통한 습식세정을 아르곤 분위기가 유지되는 glove box 에서 수행하여 GaAs 표면조성 및 결합상태에 미치는 효과를 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)로 관찰하였다. HCl 및 H₃PO₄/DIW/HCI 처리후, Cl 이온의 Ga 이온과의 반응 ... 전체 초록 보기

목차

초록

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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