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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 335 - 340 (6page)
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본 논문은 InP 식각정지층을 갖는 MHEMT 소자의 항복전압을 증가시키기 위한 시뮬레이션 설계 논문이다. MHEMT 소자의 게이트 리세스 구조 및 채널 구조를 변경하여 시뮬레이션을 수행하였고 비교 분석하였다. MHEMT 소자의 드레인 측만을 완전히 제거한 비대칭 게이트 리세스 구조인 경우 I<SUB>dss</SUB> 전류가 90 ㎃에서 60 ㎃로 줄어들지만 항복 전압은 2 V에서 4 V로 증가함을 확인하였다. 이는 Si₃N₄ 보호층과 InAlAs 장벽층 사이의 계면에서 형성되는 전자-포획 음의 고정전하로 인해 채널층에서의 전자 공핍이 심화되어 나타나는 현상으로 이는 채널층의 전류를 감소시켜 충돌이온화를 적게 형성시켜 항복전압을 증가시킨다. 또한, 동일한 구조의 비대칭 게이트 리세스 구조에서 채널층을 InGaAs/InP 복합 채널로 바꾸어 설계한 구조에서는 항복전압이 5 V로 증가하였다. 이는 높은 드레인 전압에서 InP 층의 적은 충돌이온화와 이동도로 인해 전류가 더 감소했기 때문이다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. MHEMT 소자의 항복전압 개선 구조에 대한 시뮬레이션
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 비교 분석
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 김성찬 / 2006 / 70 nm MHEMT와 DAML 기술을 이용한우수한 성능의 94 GHz 단일 평형 혼합기 / 전자공학회논문지 - SD 43 (4) : 8 ~ 15
2. [학술대회논문] - S. J. Yeon / 2007 / / Proc. of 2007 IEDM : 613 ~
3. [학술지(정기간행물)] - 손명식 / 2011 / InAlAs/InGaAs/GaAs 100nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10 (4) : 107 ~ 112
4. [기타자료] - / / User's manual of ISE-DESSIS, Ver. 9.5
5. [학술지(정기간행물)] - G. Meneghesso / 1999 / / IEEE Trans. On Electron Devices 46 : 2 ~
2. [학술대회논문] - S. J. Yeon / 2007 / / Proc. of 2007 IEDM : 613 ~
3. [학술지(정기간행물)] - 손명식 / 2011 / InAlAs/InGaAs/GaAs 100nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10 (4) : 107 ~ 112
4. [기타자료] - / / User's manual of ISE-DESSIS, Ver. 9.5
5. [학술지(정기간행물)] - G. Meneghesso / 1999 / / IEEE Trans. On Electron Devices 46 : 2 ~
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