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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.9
- 수록면
- 345 - 355 (11page)
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GaAs나 InP 기반의 high electron mobility transistor (HEMT) 소자들은 우수한 마이크로파 및 밀리미터파 주파수 특성 및 이에 따른 우수한 저잡음 특성을 가지고 있다. GaAs 기판 위에 점진적으로 성장된 메타몰픽(Metamorphic) HEMTs (MHEMTs)는 InP 기판 위에 성정한 HEMT에 비해 비용 측면에서 커다란 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 MHEMT의 DC/RF 소신호 특성을 예측하기 위하여 InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자들의 DC/RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하였다. 2차원 소자 시뮬레이터의 hydrodynamic 전송 모델을 사용하여 In<SUB>0.52</SUB>Al<SUB>0.48</SUB>As/In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As 이종접합 구조를 갖는 제작된 0.1-㎛ Γ-게이트 MHEMT 소자에 대하여 파라미터 보정 작업을 수행한 후, MHEMT 소자들에 대해 DC 특성 및 RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하고 실험 데이터와 비교 분석하였다. 또한, 게이트 리세스 구조에 따른 MHEMT 소자들의 DC/RF 특성을 시뮬레이션하고 비교 분석하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Hydrodynamic HEMT 소자 시뮬레이션
Ⅲ. MHEMT 시뮬레이션 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (12)
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1. [학술지(정기간행물)] - 손명식 / 2011 / GaAs 기반 In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As 이종접합 구조를 갖는 MHEMT 소자의 DC 특성에 대한 calibration 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10 (1) : 63 ~ 73
2. [기타자료] - / / User's mannual of ISE-DESSIS, Ver. 9.5
3. [학술지(정기간행물)] - Myung-SikSon / 2004 / Simulation of the DC and Millimeter-wave Characteristics of 0.1-？Offset -Shaped Gate InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/GaAs MHEMTs with various InxGa1-xAs Channels / Journal of the Korean Physical Society 44 (2) : 408 ~ 35
4. [학술지(정기간행물)] - M. Han / 2005 / / Journal of the Institute of Electronic Engineers of Korea-SD 42 : 1 ~
5. [학술대회논문] - C. S. Whelan / 2000 / / Proceedings of 2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
2. [기타자료] - / / User's mannual of ISE-DESSIS, Ver. 9.5
3. [학술지(정기간행물)] - Myung-SikSon / 2004 / Simulation of the DC and Millimeter-wave Characteristics of 0.1-？Offset -Shaped Gate InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/GaAs MHEMTs with various InxGa1-xAs Channels / Journal of the Korean Physical Society 44 (2) : 408 ~ 35
4. [학술지(정기간행물)] - M. Han / 2005 / / Journal of the Institute of Electronic Engineers of Korea-SD 42 : 1 ~
5. [학술대회논문] - C. S. Whelan / 2000 / / Proceedings of 2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
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