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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제4호
발행연도
2001.12
수록면
403 - 410 (8page)

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본 연구에서는 차세대 Cu 박막 증착 방법으로 유망한 CVD(chemica1 vapor deposition) 방법으로 실질적 배선 증착 공정과 동일하게 시행하여 여러 조건에서 Cu를 증착하여 가장 EM에 관하여 높은 내구성을 가지는 조건을 알 아보고 또한 박막의 미세구조가 EM에 어떠한 영향을 미치는지를 알아보았으며 MOCVD 방식으로 증착 한 Cu 박막의 표면과 barrier layer인 TiN과의 응력(stress)을 조사하여 차세대 EM 모델인 grain boundary grooving 모델에 실질적으로 적용하였다. 또한, 이러한 실험을 행 한 후에 정확한 EM 현상을 관찰하고 분석하여 반도체 소자의 신뢰성과 성능개선, 결함 예측, 그리고 소자의 배선설계에 중요한 정보를 제공할 것이다. 또한, 보다 우수한 EM 특성을 가질 수 있게 하기 위해 barrier layer위에 Cu와의 접착력(adhesion)을 향상시킬수 있는 promoter로 Al을 이용하여 얇게 증착한 후 EM 축적 파괴 실험을 하여 EM에 대한 높은 저항성을 실질적으로 가질 수 있는지에 대한 실험도 병행하였다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

참고문헌

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