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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제1호
발행연도
2000.2
수록면
16 - 23 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

산소 플라즈마에서의 분자살 적층성장에 의한 Ce₁-xZrxO₂ 박막의 성장과 구조
김용주 ,  G.S. He ,  man 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.02 학술대회자료

2000

산소 플라스마에서의 분자살 적층성장에 의한 CeO₂ 박막의 성장과 구조
김용주 ,  S. A. Chambe ,  s Applied Science and Convergence Technology 2000.02 학술저널

초록· 키워드

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CeO₂ 박막이 3가지 다른 기판-Si(111), MgO(001), SrTiO₃(001)-위에 넓은 성장조건의 영역에서 산소 플라스마의 분자살 적층성장에 의하여 성장되었다. 본 연구에서 이용된 기판 중 순수 단결정의 CeO₂(001) 박막은 SrTiO₃(001) 기판 위에서만 성장되었다. 이 박막의 구조와 조성은 x-ray diffraction, reflection high-energy electron diffraction, low-energy electron diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, x-ray photoelectron diffraction을 이용하여 확인하였다. 순수 단결정 CeO₂ 박막 성장은 격자상수 차이가 적은 기판의 선택이 아주 중요하고 박막의 성장조건에는 크게 영향을 받지 않는 것으로 나타났다. SrTiO₃(001) 위에 성장된 CeO₂(001) 박막은 표면 reconstruction이 없는 bulk CeO₂와 같은 구조임을 밝혔다. 박막 성장 온도가 650℃ 이상일 때는 기판의 Ti이 CeO₂ 박막으로 확산됨을 관찰하였다.

목차

요약

Abstracts

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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