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Taeho Moon (LG전자) Wonki Yoon (LG전자) Seung-Yoon Lee (LG전자) Kwang Sun Ji (LG전자) Young-Joo Eo (LG전자) Seh-Won Ahn (LG전자) Heon-Min Lee (LG전자)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제2호
발행연도
2010.3
수록면
128 - 133 (6page)

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ZnO:Al 박막은 산소 압력을 조절한 두 번의 증착 과정을 이용하여, DC 펄스 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착되었다. 시드막은 다양한 Ar/O₂ 압력비에서 증착되었으며, 벌크막은 순수한 Ar가스를 사용하여 증착되었다. 시드막 증착시 산소 압력이 증가함에 따라, 결정성과 (002) 배향성의 정도는 증가했다. 비저항은 시드가 없는 샘플의 경우 4.7×10?⁴ Ωㆍ㎝로부터 Ar/O₂ = 9/1 샘플의 경우 3.7×10?⁴ Ωㆍ㎝까지, 결정성의 증가와 함께 점차 감소했다. 에칭된 표면은 분화구 형상의 구조를 보여주었으며, 급격한 형상 변화가 결정성 증가와 함께 나타났다. Ar/O₂ = 9/1 조건의 샘플은 500 ㎚에서 88%의 매우 높은 haze 수치를 보여주었으며, 이는 AFM 이미지에서 보여지는 것처럼 큰 표면 구조 크기에 의해 설명된다.

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