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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
360 - 366 (7page)

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LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition) 공정으로 Sr/Ta 몰비 0.35~0.65 조성범위에서 150 ㎚ 두께의 Sr_xBi_(2.4)Ta₂O_9 (SBT) 박막을 제조하여, Sr/Ta 몰비에 따른 결정상과 미세구조, 강유전 특성 및 누설전류 특성을 분석하였다. LSMCD 공정으로 제조한 SBT 박막은 Sr/Ta 몰비 0.425의 조성에서 최적의 강유전 특정을 나타내어 ±5V의 구동전압 인가시 15.01 μC/㎠의 잔류분극 2P_r과 41 ㎸/㎝의 항전계 E_c를 나타내었다. LSMCD 공정으로 제조한 Sr/Ta 몰비 0.35~0.5 범위의 SBT 박막은 100㎸/㎝의 전기장 하에서 10^(-5) A/㎠ 미만의 낮은 누설전류 밀도를 나타내었으며, ±5V의 구동전압 인가시 10^(10)회의 스위칭 후에도 잔류분극 감소가 1% 미만인 우수한 분극피로 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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